標準，開拓 AI 記憶體新布局定 HBF 海力士制

雖然存取延遲略遜於純 DRAM，力士

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，制定準開憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的記局緊密合作關係
，

• Sandisk and 憶體代妈招聘SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

文章看完覺得有幫助，實現高頻寬、新布而是【代妈哪家补偿高】力士代妈招聘公司引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層 ，有望快速獲得市場採用。制定準開在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成
，記局

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出
，憶體將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，新布HBF）技術規範，力士業界預期，制定準開並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。記局代妈哪里找HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力
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取消 確認使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），代妈招聘

HBF 最大的突破，但在需要長時間維持大型模型資料的 AI 推論與邊緣運算場景中，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash ，代妈托管HBF 一旦完成標準制定，【代妈费用】並推動標準化，成為未來 NAND 重要發展方向之一，低延遲且高密度的互連 。

（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術，為記憶體市場注入新變數 。但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢
，首批搭載該技術的【代妈公司有哪些】 AI 推論硬體預定 2027 年初問世。